Następna generacja pamięci DRAM wymyślona przez firmę Rambus i wspierana przez Intel-a, która ma zastąpić SDRAM. RDRAM może teoretycznie działać z prędkością magistrali 800 MHz. Przy użyciu tej pamięci wszystkie banki muszą być zajęte, a ewentualne nieużywane muszą być obsadzone specjalnymi zaślepkami - Continuity RIMM (CRIMM). Intel oraz Rambus pracują także nad nowszą wersją pamięci RDRAM zwaną nDRAM, która ma być w stanie działać z prędkością dochodzącą do 1 600 MHz. Obecnie zaś konkurentem pamięci RDRAM jest rozwiązanie DDR wspierane przez takie firmy jak Micron, Infineon, Samsung, IBM, Acer, VIA.